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須原理彦(すはら みちひこ)

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略歴等:

  • 金沢大学大学院自然科学研究科 システム科学専攻 博士後期課程修了 (平成5年)
  • 東京工業大学 工学部電気・電子工学科 助手 (平成5-7年)
  • 東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター 助手 (平成7-11年)
  • 東京都立大学 大学院工学研究科電気工学専攻 助教授 (平成11年〜現在に至る)
  • その間 スウェーデン王国ルンド大学固体物理学科客員研究員・客員教授(平成9-10年)

専門分野
pic三重共鳴トンネルダイオード(化合物半導体量子効果デバイス)

量子効果デバイスの一つであり原理的にはテラヘルツ帯までの発振・増幅波動作が可能な化合物半導体共鳴トンネルダイオード(RTD)の基礎特性について,理論と実験の両面で研究を行っています。特に三重障壁構造設計,自己補対型広帯域アンテナとの集積一体化,アクティブジャイレータ構成などを独自のテーマとしています。(研究室のホームページにテーマ概観を示します。)

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picRFマイクロ集積デバイス

ここではミリ波帯集積回路への応用を目指した新しい原理に基づくRFマイクロデバイスとして,マイクロストリップ線路を伝送するマイクロ波〜ミリ波の左手系分散特性を制御した機能性集積アンテナによる無線配線の実現,自己補対構造を用いた超広帯域オンチップアンテナ,平面型集積スパイラルインダクタの極限性能などについての研究を行っています。(研究室のホームページにテーマ概観を示します。)

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pic低環境負荷ドライエッチングプロセス

本研究室で提案している上述の微細デバイスを作製するプロセスとして,荷電粒子を中性化して試料に照射する高速原子ビーム(FAB)ドライエッチングを技術を試みています。とりわけ,中性化率の精密制御とダメージ抑制効果,不活性ガスを用いた低環境負荷プロセスの実現可能性を検討しています。(研究室のホームページにテーマ概観を示します。)

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主要発表論文
pic M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, and T.Okumura, "Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes",Jpn. J. Appl. Phys., Vol.45, No.6B, pp.5504-5508, 2006

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M.Suhara, H.Horie, T.Okumura, "A Proposal of Broadband High-Q Monolithic Active Inductors by Using Resonant Tunneling Diodes, IEEE 64th Device Research Conference pp.59-60, 2006

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H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura, "Effects of Geometrical Structures on Broadband Characteristics

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N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura, "Observation of 1/f Noise of GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes", Noise and Fluctuations, 780, pp.492-495, 2005

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M.Suhara, M.Okayama, and T.Okumura, "Analysis of Scaling-Rule and Size-Reduction Limit of Spiral Inductors to Maximize Quality Factor", Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, vol.5, pp. 2844-2846, 2005

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H.Tomioka, M.Suhara and T.Okumura, "Analysis of Edge Effect on Millimeter-Sized Planar Logarithmic Spiral Antenna", Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, vol.5, pp. 2844-2846, 2005

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M.Suhara, N.Asaoka, M.Fukumitusu, H.Horie, and T.Okumura, "Effect of Mesa Formation Processes on GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diode ", State-of -the Art Program on Compound Semiconductors XLI, Electrochemical Sciety Proceedings, vol.20046, pp.96-102, 2004

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Michihiko Suhara and Tsugunori Okumura, "A Relation between Probe-Sample Distance and Effective Contact Potential Difference in Kelvin Probe Force Microscopy", The AIUB Journal of Science and Engineering (AJSE), vol. 3, no. 1, , pp.19-24, 2004

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M.Fukumitsu, H.Horie, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura, "Characterization of GaInP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes fabricated by fast atom beam etching process ", Extended abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2004

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担当講義
  電気電子解析論(学部2年)
電気電子材料(学部3年)
  計測・センサ工学(学部4年)
電気電子物性工学特論(大学院)
  機能電子材料工学特論(大学院)
量子電子工学(都立大学部4年)